物理特性：铟靶材呈银色光泽的灰色，熔点为 156.61℃，沸点 2060℃，密度 7.3 g/cm³。质地非常软，能用指甲刻痕，可塑性强，有良好的延展性，可压成片。

化学特性：铟具有较好的化学稳定性，但在一些特定的环境下，如高温、强酸碱等条件下，可能会发生化学反应。铟化合物在真空下蒸发，能够在电子产品和光伏电池生产中形成薄膜。

粉末冶金法：通过将铟粉末在高温下压制和烧结成型，可有效控制杂质含量，能制造出形状复杂的靶材，制得的靶材具有较高的致密度和均匀性。

熔炼法：将铟材料加热至熔点以上，使其成为液态，然后通过铸模或其他成型工艺制造靶材，该方法简单快捷，但控制纯度和均匀性相对较难。

科研与前沿技术

1. 量子计算与超导器件

探索应用：铟薄膜作为超导材料（如 In-Nb 合金），用于量子比特器件的制备，利用其超导电性实现低损耗量子信号传输。

2. 柔性电子与可穿戴设备

技术方向：在柔性电路板（FPC）、电子皮肤中作为可拉伸导电薄膜，利用铟的高延展性满足器件形变需求。

溅射气体控制

气体纯度：使用高纯氩气（99.999% 以上），避免氧气、水汽混入导致铟靶氧化（氧化铟导电性下降，易形成电弧放电）。

气压调节：

直流溅射（DC）：气压通常为 0.1~10 Pa，低气压下溅射速率高但薄膜致密度低；高气压下薄膜均匀性好但沉积速率慢。

射频溅射（RF）：适用于绝缘基底，气压可略高于直流溅射，需根据薄膜厚度要求动态调整。