集成电路（IC）制造

用途：作为金属互连层或接触电极材料，用于芯片内部的导电线路、晶体管电极等关键部位。

优势：铟的低熔点和高延展性使其易于加工成极薄的薄膜，满足纳米级制程对材料精度的要求。

先进封装技术

应用：在芯片倒装焊（Flip Chip）中作为焊料或热界面材料，实现芯片与基板的电气连接和热传导。

特点：低熔点（156.6℃）和高可靠性，适用于精密电子器件的低温封装。

. 光通信器件

应用：在光纤连接器、光调制器中作为镀膜材料，提升光学元件的信号传输效率和稳定性。

场景：数据中心高速光模块、5G 前传网络的光器件制造。

铟靶是现代电子信息、新能源、高端制造等战略性新兴产业的底层关键材料，其应用深度和广度直接反映一个国家在半导体、显示、光伏等领域的技术水平。由于全球铟资源稀缺（主要伴生于锌矿），且提纯工艺复杂，铟靶的供应链已成为各国关注的重点。未来，随着 5G、AI、新能源汽车等产业的爆发，铟靶的需求将持续增长，同时推动高纯铟（99.999% 以上）制备技术的不断突破。